En lo que pudiera marcar un paso más adelante, el futuro equipo “flagship” de la serie Galaxy de Samsung pudiera tener más poder de manejos de aplicaciones con un aumento del RAM.
La surcoreana Samsung ha anunciado, que ha construido el primer DDR de baja potencia con 8GB de capacidad de data para equipos móvil.
El chip ha sido desarrollado usando el proceso de 20nm y ofrece 1 GB en un solo dado, lo cual significa que tiene la mayor densidad de un componente DRAM.
Además, Samsung dice que proporciona un alto nivel de rendimiento con un bajo consumo de energía a la vez que cuatro de los chips de 8Gb se combinarían para ofrecer un único paquete de 4 GB LPDDR4 que significaría 4GB de RAM para un Smartphone será una realidad para el año entrante.
Obviamente esto significaría mejor procesamiento, más mejoras en el manejo del multi-tasking, más aplicaciones serían capaces de trabajar a la vez, resoluciones de pantallas mayores a las que hay actualmente serían posibles y una mejor respuesta de equipos móviles.
Sería tonto no aprovechar tener a Samsung como proveedora de chipset y esperen que los futuros Galaxy tengan este nuevo DDR4 y adicional, esperen que en cualquier momento Samsung anuncie la nueva generación de sus chips Exynos con los que la surcoreana compite abiertamente con Qualcomm en algunos mercados.
